富鼎先進 (8261-TW下單)公佈取得IR(International Rectifier Corporation)之DirectFET MOSFET產品之封裝技術授權，授權期間為今(30)日起自2016年 8月31日止。富鼎先進表示，取得此項技術，將有助於客戶導入產品成本，即有助於該公司業務拓展及新產品開發。
富鼎先進表示， DirectFET封裝技術具有低封裝阻抗，有效解決散熱問題，縮小MOSFET尺寸，使高功率密度電路設計成為可能。
富鼎先進指出，取得 DirectFET封裝技術不僅可增強產品性能同時可提供客戶降低整體成本的電源管理解決方案。也有助於業務拓展及促進MOSFET產品技術之開發。富鼎今日股價也率先以漲停作收反映利多。
(鉅亨網記者許政隆／台北‧11月30日 )
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